Silizium-Epitaxiewafer sind äußerst vielseitig und können in verschiedenen Größen und Dicken hergestellt werden, um den unterschiedlichen Branchenanforderungen gerecht zu werden. Sie werden auch in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter integrierte Schaltkreise, Mikroprozessoren, Sensoren, Leistungselektronik und Photovoltaik. Die Qualität der Silizium-Epitaxiewafer wird durch strenge Qualitätskontrollverfahren während des gesamten Herstellungsprozesses garantiert. Dadurch wird sichergestellt, dass die Wafer frei von Defekten, Verunreinigungen und anderen Substanzen sind, die ihre Leistung beeinträchtigen könnten.

 

Darüber hinaus sorgt die präzise und gleichmäßige Abscheidung epitaktischer Schichten auf den Wafern für hervorragende elektrische und optische Eigenschaften. Im Betrieb erbringen diese Wafer herausragende Leistung und Zuverlässigkeit. Sie sind so konzipiert, dass sie extremen Temperaturen, Vibrationen und anderen rauen Bedingungen standhalten und sich daher ideal für den Einsatz in einer Vielzahl von Umgebungen eignen.

 

Siliziumepitaxie ist ein Prozess, bei dem eine zusätzliche monokristalline Siliziumschicht auf der polierten Kristalloberfläche eines Siliziumwafers abgeschieden wird. Dieses Verfahren ermöglicht es, die Materialeigenschaften unabhängig vom polierten Substrat auszuwählen und somit Wafer zu erzeugen, die unterschiedliche Eigenschaften im Substrat und in der Epitaxieschicht aufweisen. In vielen Fällen ist dies für die Funktion des Halbleiterbauelements notwendig.

 

Sibranch bietet epitaktische Siliziumwafer mit Durchmessern von 100 bis 300 mm an. Während 300-mm-EPI-Wafer hauptsächlich in hochintegrierten Halbleiterelementen (ICs) verwendet werden, kommen kleinere Durchmesser auch für Leistungsanwendungen zum Einsatz. Um den unterschiedlichen Anforderungen gerecht zu werden, werden Substrate und Epitaxieschichten nach Kundenspezifikation gestaltet.

 

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